Память DDR SDRAM с удвоенной скоростью передачи!

Модули DIMM SDRAM (PC 100, PC 133) в настоящий момент в “чистом виде” не применяются, хотя в интернет-магазине вы сможете их достать.

В результате усовершенствования памяти SDRAM была разработана разновидность синхронной памяти — удвоенная скорость передачи данных синхронной памяти с произвольным доступом (Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory – DDR SDRAM).

При использовании DDR SDRAM достигается более широкая полоса пропускания, чем в SDRAM, за счет передачи данных по фронту и срезу сигнала синхронизации памяти. Таким образом, количество операций в секунду (значение параметра DTPS) на внешней шине ввода-вывода (или шине FSB) почти удваивается, без увеличения частоты шины памяти.

Промежуточными модификации синхронной памяти были — SDR SDRAM (Single Data Rate SDRAM) и SL DRAM (Synchronous Link DRAM).

DDR SDRAM и SDR SDRAM основаны на технологии синхронной обработки сигналов. Основные отличия между ними заключаются в различной организации интерфейса данных и самой системе синхронизации. Кроме того, в памяти DDR ввод команд тактируется фронтом внешнего синхроимпульса, а данные тактируются как фронтом, так и срезом, поэтому DDR работает на удвоенной частоте системной шины.

Как и DDR, SL DRAM также синхронизирует данные фронтом и срезом тактового импульса, поэтому она также будет синхронной памятью. Для сокращения времени задержек, управляющая информация, а также и данные, передаются в память пакетами. Память SL справляется с обработкой большого числа команд и содержит расширенный файл программируемых регистров.

Ширина шины памяти DDR SDRAM составляет 64 разряда.

Для обеспечения передачи данных дважды за такт, используется архитектура 2n Prefetch. Для этой цели внутренняя шина данных DDR SDRAM имеет ширину в два раза больше внешней шины памяти. Поэтому, когда происходит передача данных, сначала передается первая половина шины данных по переднему фронту тактового сигнала, ну а после вторая половина шины данных по срезу.

Передачу данных между ядром микросхемы DDR SDRAM, буфером ввода-вывода и внешней шиной можно проиллюстрировать на рисунке.

Приведем примеры определения скорости передачи данных.

Например, для частоты на шине памяти 100 МГц пропускная способность шины памяти DDR SDRAM будет — 100 МГц х 8 байт х 2 цикла = 1600 Мбайт/с, а для частоты 300 МГц — 300 МГц х 8 байт х 2 цикла = 4800 Мбайт/с.

Рассмотрим параметры чипов DDR SDRAM.

• Объем памяти чипа (DRAM density). Этот параметр записывается в мегабитах, например 256 Мбит — чип объемом 32 Мбайт.
• Организация (DRAMorganization). Записывается в виде 64M х 4, где 64M — это количество элементарных ячеек хранения (всего 64 млн.), а х4 — разрядность чипа, т.е. разрядность каждой ячейки.

Чипы DDR бывают х4 и х8, последние стоят дешевле в пересчете на мегабайт объема, но не позволяют использовать некоторые функции памяти.

Также рекомендую почитать:

1. Назначение синхронной динамической памяти.
2. Отличительные особенности микропроцессора Sempron!
3. Память BIOS и как ее перепрошить?